主要性能参数

生长方法

弧熔法

晶体结构

立方

晶格常数

a=4.130 A

熔点（℃）

2800

纯度

99.95%

密度（g/cm³）

3.58

硬度

5.5（mohs）

热膨胀系数（/℃）

11.2x10^-6

晶体解理面

<100>

光学透过

>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）

介电常数

ε= 9.65

热导率（卡／度 厘米 秒）

0.14  300°K

尺寸

10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，

dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm

厚度

0.5mm，1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

<001>±0.5o

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°（特殊要求可达1°以内）

斜切晶片

可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片

Ra:

≤5A（5μm×5μm）

主要特点

 由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。

主要用途

用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。

包装

100级洁净袋，1000级超净室