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SiO2晶体
SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。我们可提供的SiO2单晶技术参数如下:
主要性能参数 |
|
生长方法 |
水热法 |
晶体结构 |
六方 |
晶格常数 |
a=4.914? c=5.405 ? |
熔点(℃) |
1610℃(相转变点:573.1℃) |
密度 |
2.684g/cm3 |
硬度 |
7(mohs) |
热熔 |
0.18cal/gm |
热导率 |
0.0033cal/cm℃ |
热电常数 |
1200uv/℃(300℃) |
折射率 |
1.544 |
热膨胀系数 |
α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃ |
Q值 |
1.8×106 min |
声速、声表级 |
3160(m/sec) |
频率常数 |
1661(kHz/mm) |
压电偶合 |
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14 |
晶向 |
Y、X或Z切,在30o~42.75 o ±5分范围内旋转任意值 |
抛光面 |
外延抛光:单抛或双抛Ra<10? |
标准厚度 |
0.5mm±0.05mm TTV<5um |
标准直径 |
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm |