销售热线:021-69915074/15821209678

  • SiO2晶体

SiO2晶体

 

    SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。我们可提供的SiO2单晶技术参数如下:

主要性能参数

生长方法

水热法

晶体结构

六方

晶格常数

a=4.914?    c=5.405 ?

熔点(

1610(相转变点:573.1

密度

2.684g/cm3

硬度

7mohs

热熔

0.18cal/gm

热导率

0.0033cal/cm

热电常数

1200uv/300

折射率

1.544

热膨胀系数

α1113.71×106/ α337.48×106 /

Q

1.8×106 min

声速、声表级

3160m/sec

频率常数

1661kHz/mm

压电偶合

K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14

晶向

YXZ切,在30o~42.75 o ±5分范围内旋转任意值
主定位边:根据客户要求定方向±30

次定位边:根据客户要求定方向

晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm

抛光面

外延抛光:单抛或双抛Ra<10?
工作区域:基片直径
-3mm
度:Φ3″<20um
Φ4″<30um
工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度
<0.5mm
坑和划痕:每片<3,每100<20

标准厚度

0.5mm±0.05mm TTV<5um

标准直径

Φ2″(50.8mm)Φ3″(76.2mm)Φ4″(100mm)±0.2mm
主定位边:
22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
次定位边:10mm±1.5mm

 

 

销售经理司先生:15821209678
销售经理倪女士:18616777738
郭女士:13164023887(氧化镓单晶衬底及外延片专线,微信同号)
地址:上海嘉定区清河路390号
电话:021-69915074
传真:021-69918607
邮箱:sijiliang@siom.ac.cn
中国科学院上海光学精密机械研究所 激光晶体研究中心 沪ICP备05015387号-16