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掺镁铌酸锂(MgOCLN)晶体
光学级掺镁铌酸锂晶体(MgOCLN)及晶片
铌酸锂晶体中,当掺入5mol%MgO后,所生长出来的MgOCLN晶体的抗激光损伤阈值可以提高2个数量级,OH-吸收峰红移至3535cm-1,紫外吸收边移至310nm,极化翻转电压从21KV/mm降至6KV/mm以下。这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
上海光机所可提供的镁铌酸锂晶体(MgOCLN)规格
毛坯
直径
Ø76.2mm
长度
≤150mm
掺镁浓度
0.5~5%
方向
Z或按特定要求
晶片
直径
Ø76.2mm± 0.3mm
方向
Z-cut ± 0.2°
基准面边
22mm ± 2mm
Perpendicular to X ± 0.2°
第二基准
10mm ±3mm
Cw180° ± 0.5° from OF
Cw270° ± 0.5° from OF
厚度
500um ± 5um
1000um ± 5um
晶片表面
双面抛光
S/D 10/5
TTV
≤ 6um
掺镁浓度
0.5--5%
折射率
n0=2.2827 ± 0.0003 ne=2.1928± 0.0003
prism coupler method @632.8nm Doped 5mol%
边缘倒角
倒角
可以按照特殊要求,提供所需掺镁铌酸锂晶体(MgOCLN)尺寸和规格的毛坯或晶片。