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β-Ga2O3晶体
氧化镓(β-Ga2O3)晶体
β-Ga2O3单晶是一种新型直接带隙超宽禁带半导体，相比于其它第三代半导体SiC和GaN，它具有禁带宽度更大（4.9eV）、吸收截止边更短、生长成本更低等突出优点。其巴利加优值(εμEg3，相对于Si)高达3214.1，大约是SiC的10倍，GaN的4倍。这就意味着：使用β-Ga2O3研制的器件将具有更小导通损耗和更高的功率转换效率，在高压、高功率器件中具有良好的应用前景。
β-Ga2O3在日盲紫外（200~280 nm）探测领域也有着广阔的应用前景。氧化镓的禁带宽度为4.8-4.9 eV，对应吸收带边位于250 nm左右，无须类似于AlGaN、ZnMgO的合金化工艺，是制作日盲紫外探测器的理想材料。相对于传统的可见光和红外探测，日盲紫外探测具有背景噪声低、灵敏度高、抗干扰能力强的固有优势，能有效降低虚警率，减少信号处理难度，可用于导弹逼近预警、卫星通信、各种环境监测、海上搜救、无人机自动着舰导引、化学生物探测等诸多领域。
氧化镓(β-Ga2O3)晶体化学性质稳定，不易被腐蚀，机械强度高，高温下性能稳定，有高的可见光和紫外的透明度，尤其是其在紫外和蓝光区域透明，这是传统的透明导电材料所不具备的，因此β-Ga2O3单晶可以成为新一代透明导电材料，在太阳能电池、平板显示技术上得到应用。β-Ga2O3单晶的电导率会随周围环境的变化而改变，可以应用在气体探测技术上。
基本性质
| 晶体结构 | 单斜 |
| 晶格常数 | a=12.23A, b=3.04A, c=5.80A |
| 熔点 | 1740℃ |
| 相对介电常数 | 10 |
| 导热率 | 11W/m/℃ at 25℃<100> 27W/m/℃ at 25℃<010> |
| 击穿场强 | 8 MV/cm |
| 迁移率 | 300 cm2/Vs（理论值） |
| 带隙 | 4.8~4.9 eV |
目前主要技术指标：
1、毛坯尺寸规格：100mm×50mm×5mm（导模法生长）
2、XRD双晶摇摆半高宽：27″
3、位错密度：3×104/cm2
4、表面加工粗糙度：0.2nm
5、电阻率调控：5×10-3 ~ 109Ω·cm
目前批量产品供货信息：
| 晶面 | 尺寸规格 | 技术指标 | |
| (010) | 10mm×10mm×1mm | FWHM<150” 单面抛光，RMS<0.5nm 位错密度：5×104/cm2 晶面偏差<1° |
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| 10mm×10mm×0.5mm | |||
| 5mm×5mm×1mm | |||
| 5mm×5mm×0.5mm | |||
| (100) | 10mm×10mm×1mm | FWHM<100” 单面抛光，RMS<0.5nm 位错密度：5×104/cm2 晶面偏差<30’ 电阻率调控：5×10-3 ~ 109Ω·cm |
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| 10mm×10mm×0.5mm | |||
| 5mm×5mm×1mm | |||
| 5mm×5mm×0.5mm |
可按照需求定制掺质氧化镓晶体以调控不同电阻率要求、特殊规格尺寸、不同加工需求的氧化镓晶体。氧化镓单晶衬底及外延片请联系包经理：15700158030（氧化镓单晶衬底及外延片专线，微信同号）。
