• β-Ga2O3晶体

β-Ga2O3晶体

 

氧化镓-Ga2O3)晶体

氧化镓-Ga2O3)晶体化学性质稳定,不易被腐蚀,机械强度高,高温下性能稳定,有高的可见光和紫外的透明度,尤其是其在紫外和蓝光区域透明,这是传统的透明导电材料所不具备的,因此β-Ga2O3单晶可以成为新一代透明导电材料,在太阳能电池、平板显示技术上得到应用。β-Ga2O3单晶的电导率会随周围环境的变化而改变,可以应用在气体探测技术上。

基本性质

晶体结构

单斜

晶格常数

a=5.80A, b=3.04A,c=12.23A

熔点

1740

相对介电常数

10

导热率

11W/m/K at 25<100>

27W/m/K at 25<010>

击穿场强

8 MV/cm

迁移率

300 cm2/Vs

带隙

4.8~4.9 eV

目前主要技术指标:

XRD双晶摇摆半高宽:27″

位错密度:5×104/cm2

表面加工粗糙度:0.2nm

电阻率调控:5×10-3 ~ 107Ω·cm

 

名称

氧化镓晶体(β-Ga2O3

方向

(010)

尺寸(mm)

(10±0.3)×(10±0.3)

厚度(mm)

0.5±0.05

晶面偏差(°)

3

半峰高宽(弧秒)

< 180

表面

单面抛光

粗糙度(Ra)

< 1nm

掺杂

Si/Sn

Fe

电阻率

n-type

半绝缘(> 106Ω·cm)

载流子浓度(/cm3)

2~9×1018

 

位错密度(/cm2)

< 105

         上海光机所可提供2英寸以内(含2英寸)Ga2O3抛光片,并可提前预定定制Si、Sn、Fe等掺杂氧化镓晶体,欢迎与销售人员联系。

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