2月25日，广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授冯哲川在1号楼108会议室作了题为“探索光电半导体和氧化物材料与纳米结构暨器件的奥秘”的专题报告。报告会由激光与红外材料实验室主任齐红基研究员主持。 

会上，冯哲川介绍了广西大学光电子材料与探测技术实验室的概况及在光电探测半导体方面的工作进展，重点介绍了其在多光谱复合检测材料特性方面的技术优势及工作成果。此外，他就目前与我所合作展开的新一代宽禁带半导体氧化镓材料研究进行介绍。会议对氧化镓材料的光电特性检测及分析的合作研究进行了深入沟通且达成了长期合作意向，并计划于11月联合举办第二届海峡两岸氧化镓材料专题讨论会。 

冯哲川教授从事于化合物和宽能隙半导体研究30多年。在国际宽能隙半导体研究领域做出重要贡献。宽能隙及化合物半导体论文被广泛引用，10多篇单篇他引超100多次，编撰出版各类英文专著11本。（激光与红外材料实验室供稿）

本文转引自中科院上海光机所官网http://www.siom.cas.cn/xwzx/zhxw/201903/t20190305_5249877.html