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赛青林在全国晶体生长会期间做氧化镓晶体相关科研报告

2018722日至726日,上海光机所激光与红外材料实验室成员前往西安参加了在第十八届全国晶体生长与材料学术会议,其中赛青林在半导体晶体生长分会场做了名为《氧化镓单晶的大尺寸生长及掺杂改性研究》,系统介绍了上海光机所在2英寸氧化镓大尺寸生长及掺杂缺陷机理方面的研究进展,阐述了晶体生长过程中的挥发、缺陷控制,分析了AlNb等掺杂对晶体带隙、能级缺陷的影响规律,对于提高晶体生长质量,明确性能调控规律等起到了积极探讨作用,吸引了国内众多学者的兴趣。

此次会议参会 1200余人,共设有11个分会场,共有各类会议报告、墙报300余篇,在晶体生长及材料领域有重要影响力。

 

 

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